產品中心

Products

特點

緊湊型設計，分辨率為4 nm^*1

通過高靈敏度二次電子探測器，背散射探測器，低真空探測器（UVD^*2），實現低加速電壓/低真空下高質量圖像觀察

操作簡捷，即使新手也能拍出高質量的圖片

新開發的導航功能「SEM MAP」，便于快速鎖定視野

大窗口（30 mm²）SDD能譜系統，便于快速分析元素成分^*2

規格

項目	內容
分解能*3	4.0 nm @ 20 kV （SE：高真空模式） 15.0 nm @ 1 kV （SE：高真空模式） 5.0 nm @ 20 kV （BSE：低真空模式）
加速電壓	0.3 kV ～ 20 kV
放大倍率	6× ～ 300,000× （底片倍率） 16× ～ 800,000× （顯示倍率）
低真空模式	真空范圍：6 ～ 100 Pa
電子槍	預對中鎢燈絲
樣品臺	3-軸自動馬達臺 X：0 ～ 40 mm, Y：0 ～ 50 mm, Z：5 ～ 15 mm R：360°, T：-15° ～＋90°
最大樣品尺寸	直徑80 mm
最大樣品高度	40 mm
尺寸	主機：450（W） x 640（D） x 670（H） mm 供電單元：450（W） x 640（D） x 450（H） mm
探測器選配	· 高靈敏度低真空二次電子探測器（UVD） · 能量分散型X線探測器（EDS）

返回列表